技術名稱

應用於類神經網路之獨立閘極鰭式場效電晶體快閃記憶體

技術摘要

一種非揮發型（快閃）半導體記憶體元件，應用於類神經網路電路陣列。此新型之記憶體元件具有獨立操控之雙閘極之結構，改良傳統快閃記憶體元件，將單位面積儲存資訊加倍。

記憶體單元之對稱結構圖

現有技術描述

現有快閃 (Flash) 記憶體可作為資料儲存用。傳統之快閃記憶體為二維陣列結構。近年有不少三維記憶體產品，將單位面積之儲存資料量提升許多。快閃記憶體之原理主要透過高電壓寫入，可將資料以電晶體之臨界電壓型式儲存。快閃記憶體亦可用於類神經網路電路作為計算單元。

現有技術問題及其缺陷描述

1. 傳統平面快閃記憶體電晶體僅能透過臨界電壓儲存一個類比資訊。
2. 傳統FinFET結構，其兩邊閘極電壓相同，雙端必須同時讀/寫。
3. 現今的三維記憶體陣列可增加單位面積儲存密度，但開發成本極高，且不適用於類神經網路之 NOR 連接方式 (源極接地)。

本技術發明目的、所欲解決之問題、能提昇的功效

1. 可在記憶體元件兩邊（雙閘極）皆儲存電荷，資訊密度加倍。
2. 有雙端分別控制記憶體之讀/寫之能力
3. 加倍記憶體陣列之Layout布局密度。

適用產業類別

1. 半導體記憶體製造業
2. 晶片設計產業（人工智慧晶片之設計）

聯絡窗口

單位名稱：技轉育成中心

聯絡人：林意茵

電話：06-2360524轉11

電子郵件：ainlin@mail.ncku.edu.tw